據南韓Newsis引用市調機構TrendForce資料指出，2016年第4季出貨的筆記本電腦（NB）中，SSD的搭載比重將達40%以上。分析指出，第1季搭載SSD的NB比重占整體28~29%，預估到第4季為止將快速攀升的原因為HDD的價格上揚，及V NAND產品的發展。

SSD是傳輸速度較傳統硬盤（HDD）速度快4倍以上，可耐受外來沖擊的儲存裝置。噪音和發熱問題較少，擁有優勢，但價格較HDD高，且儲存容量較不足。

一般稱為3D NAND Flash的技術，是將芯片以垂直堆棧的方式，在較窄的面積上，實現低功率、電路集成度高的產品。不僅提升傳輸速度和生產效益，耗電量也降低。

值得關注的是，V NAND是三星為了展現自家技術能力而使用的詞匯，顯示目前產品的發展由三星主導。報導指出，目前可大量生產3D NAND的企業僅三星一間。其他半導體競爭企業約要到2017年上半才能量產。

三星個人用SSD 2015年在全球市場上掌握了54%市占率，三星陸續推出SSD新產品，加速領導市場，5月底三星更推出體積較10元硬幣更小的512GB SSD「BGA NVMe SSD」。一個封包內建NAND Flash、DRAM和控制器，體積僅2.5吋HDD的1%。

在2013年推出超薄型筆記本電腦專用SSD系列產品后，睽違3年再推出搭載面積縮減至5分之1的產品，展現技術力。三星表示，該產品可提升新一代PC的設計彈性。未來全球IT企業將可設計并推出更薄、更具設計感的創新PC。

除尖端技術外，三星的普及型系列產品也持續調降價格，致力于推動SSD大眾化。5月底三星追加推出750 EVO系列的500GB容量產品。三星2015年推出125GB和250GB產品，考慮消費者需求，再推出大容量的500GB產品，并降低消費者價格負擔。

新聞幕后：三星稱霸SSD市場　各家大廠醞釀反攻

據南韓情報通信技術振興中心資料，全球SSD出貨量從2015年約1.1萬顆，將會一路成長到2020年的2.4萬顆，預計這段期間的年平均成長將會達到16.9%。另一方面，HDD則將從2014年的5.64萬顆，衰退到2019年的4.2萬顆，年平均負成長率約為5.7%。

到目前為止，全球SSD市場仍是由三星電子（Samsung Electronics）取得壓倒性的市占率。根據市調機構IDC指出，三星擁有3D V-NAND技術的加持，在2015年SSD市場上，以營收基準來看，市占率為39.7%，而出貨量則是40.0%。

為了要追上三星，英特爾（Intel）也開始積極地展開戰略投資。自2016年底開始，將會導入比現有3D V-NAND更快，耐久度更好的3D Xpoint內存，并投產以此為基礎的SSD Optane。英特爾預計自2016年下半開始在大陸大連的內存廠投資約55億美元進行生產。

另一方面，大陸則間接透過收購新帝（SanDisk）來敲開SSD市場大門。目前全球最大的HDD廠商為威騰（WD），威騰最大股東則是大陸清華紫光集團。在2015年10月，威騰展開了對新帝的收購，并在5月完成最后作業。

在企業用SSD市場中，威騰和新帝合計市占率約為30%，超過了英特爾（24.6%）以及三星（20.6%）。此外，日本東芝（Toshiba）與SanDisk合作打造3D NAND新產線，大陸廠也紛紛發表了投資3D NAND部門的計劃。

這些積極醞釀反攻的各家廠商們，也開始逐步動搖了三星在SSD市場的霸權地位。

360°：3D V-NAND3D V-NAND是一種利用垂直堆棧技術的閃存，包括三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）和IBM等科技業者均開發3D NAND，預計2014年時將可商用化。

3D V-NAND無須縮小內存單元（memory cell），而是利用3D堆棧技術封裝更多的單元，此技術有諸多好處，包括在一個較小的實體空間里提升容積率（Capacity／Volume ratio），如此將可降低干擾，編程時間也會縮短，再加上各單元互相鏈接長度縮減，意味著電氣性能大為提升，總耗電量跟著減少。

三星在2013年發布世界首款3D V-NAND（垂直閃存），采用電荷擷取閃存（CTF）架構，將電荷暫時儲存在閃存非導電層（Non-conductive Layer）的氮化硅（Silicon Nitride）通道中，改善浮點閘極方案中相鄰單元格互相干擾的弊病。

三星目前已開始量產第二代32層V-NAND，耗電量降低20%。此外，IM Flash Technologies（IMFT，英特爾和美光合資企業）、東芝和海力士（Hynix）等NAND廠商也各自有自己的V-Nand計劃。