中國閃存市場峰會(huì)（CFMS2018）當(dāng)天來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲(chǔ)、紫光存儲(chǔ)、谷歌、慧榮、群聯(lián)等存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)大咖聚首，一起探討3D NAND技術(shù)發(fā)展、存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市場新契機(jī)、存儲(chǔ)產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用。同時(shí)，除了演講企業(yè)參展，紫光存儲(chǔ)、京東、點(diǎn)序也攜全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品展出。

全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)制造多集中于美國、日本、韓國，中國在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也在積極的發(fā)展。目前，中國已經(jīng)是全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中成長速度最為強(qiáng)勁的市場。2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到1500億美元，其中NAND Flash將超過570億美元，而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%，長江存儲(chǔ)、合肥長鑫、福建清華等代表企業(yè)分工發(fā)展，將從根本上解決中國在存儲(chǔ)器芯片長期、高度、依賴海外的現(xiàn)狀。

存儲(chǔ)器產(chǎn)生變化

長江存儲(chǔ)推出了Xtacking架構(gòu)，正式開啟了3D NAND潛能釋放之路。長江存儲(chǔ)CEO楊士寧在2018中國閃存市場峰會(huì)上表示，2015年長江存儲(chǔ)與美國合作伙伴簽訂了聯(lián)合研發(fā)協(xié)議，開始真正大規(guī)模投入3D NAND研發(fā)。從最開始的9層、32層測試芯片，到32層的產(chǎn)品，再到64層產(chǎn)品試片，長江存儲(chǔ)已經(jīng)獲得了一定的積累以及客戶的肯定。

目前全球主要的3D NAND生產(chǎn)廠商包括三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光以及中國長江存儲(chǔ)，這些廠商每一次的調(diào)整，對行業(yè)來說都具有深遠(yuǎn)影響。2018年新一輪投產(chǎn)即將開始，為了填補(bǔ)前幾年提升技術(shù)所導(dǎo)致的產(chǎn)能空缺，多個(gè)廠商選擇加大3D NAND投產(chǎn)力度，積極應(yīng)對不斷增長的市場需求。

3D NAND的市場供應(yīng)即將進(jìn)一步增加，中國閃存市場總經(jīng)理邰煒在2018中國閃存市場峰會(huì)上表示，目前3DNAND量產(chǎn)的主要廠商為三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光以及SK  hymix，其中，三星的3D NAND占其總產(chǎn)量的85%，西部數(shù)據(jù)、東芝的3D NAND占其總產(chǎn)量的75%，美光的3D NAND占其總產(chǎn)量的90%，SK  hymix的3D NAND占其總產(chǎn)量的60%。“這樣以后，我們可以得到更大性能、更高存儲(chǔ)的產(chǎn)品。” 邰煒說。

除了在產(chǎn)能上的提升，技術(shù)上3D NAND也有所改變。2018年上半年，各大廠商均以64層產(chǎn)品為主，下半年有部分技術(shù)先進(jìn)的廠商轉(zhuǎn)為了96層或者64層QLC。“3D NAND的生產(chǎn)工藝，每一次提升都使得存儲(chǔ)產(chǎn)品容量提升，目前NAND從2D極限容量128Gb上升到現(xiàn)在64層512Gb，過渡技術(shù)成熟以后，96層512Gb也將有機(jī)會(huì)量產(chǎn)到1Tb。值得一提，QLC4b相較于TLC3b容量更大，所以，即使采用64層QLC，1T的產(chǎn)品也會(huì)得到量產(chǎn)。這個(gè)技術(shù)生產(chǎn)會(huì)導(dǎo)致智能手機(jī)很快邁入TB時(shí)代。” 邰煒說。

新勢能成為發(fā)展驅(qū)動(dòng)

是什么驅(qū)動(dòng)著存儲(chǔ)器的變化？5G、云技術(shù)、人工智能、自動(dòng)駕駛無一不需要數(shù)據(jù)中心，所以對于總體的存儲(chǔ)需求將會(huì)大大的增加，以滿足這些應(yīng)用的需求。“數(shù)據(jù)中心行業(yè)中的內(nèi)存是TB級(jí)，這是一個(gè)很重要的推動(dòng)因素，除此之外，人工智能也將對存儲(chǔ)器產(chǎn)生重要的推動(dòng)力量。” 三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹在2018中國閃存市場峰會(huì)上說。

從最開始的電腦、移動(dòng)手機(jī)上的存儲(chǔ)，到如今的數(shù)據(jù)時(shí)代，服務(wù)器一直都是存儲(chǔ)器的一個(gè)重要市場。作為存儲(chǔ)器最大的一個(gè)市場，服務(wù)器市場的增長具有著非常強(qiáng)的推動(dòng)作用。裵容徹認(rèn)為，2019年至2023年，內(nèi)存增加將成為一種趨勢，為了迎接這個(gè)趨勢，相應(yīng)技術(shù)也會(huì)進(jìn)行升級(jí)。在這一波浪潮中，中國的市場份額不容忽視。“我們看到的市場需求數(shù)字，手機(jī)端，中國市場份額大概是50%。服務(wù)器領(lǐng)域，中國市場份額雖然比美國市場小一些，但是也占到總市場的1/4。到2022年，服務(wù)器市場在中國的比例將會(huì)增長30%。根據(jù)我們公司預(yù)測的數(shù)據(jù)，服務(wù)器業(yè)務(wù)、服務(wù)器市場在中國將會(huì)極高速的增長，甚至將會(huì)高于我們的預(yù)期。” 裵容徹說。

除了服務(wù)器，手機(jī)也一直是存儲(chǔ)器的一個(gè)重要市場。雖然手機(jī)市場在縮水，但是對于嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品來說，手機(jī)市場的重要性依舊不可忽視。邰煒預(yù)計(jì)，2018年全球智能手機(jī)出貨量將達(dá)到14.6億部，高端手機(jī)從2013年存儲(chǔ)容量6G、16G上升到512G，到2018年全球智能手機(jī)也達(dá)到628G，部分智能型手機(jī)也逐步向USF發(fā)展，“未來5G市場推動(dòng)下，相信存儲(chǔ)市場會(huì)迎來新一輪高增長點(diǎn)。” 邰煒說。

面對挑戰(zhàn)依舊存在

人工智能的發(fā)展迫使存儲(chǔ)器不得不面對越來越越多的數(shù)據(jù)，不僅在容量上是相對較大的挑戰(zhàn)，在成本上，存儲(chǔ)器廠商也需要衡量。2016年、2017年連續(xù)漲價(jià)的市場走勢導(dǎo)致2018年的價(jià)格已經(jīng)開始下滑。“2018年現(xiàn)在價(jià)格已經(jīng)下滑超過40%，后續(xù)隨著技術(shù)提升和產(chǎn)能增加，這個(gè)價(jià)格還會(huì)進(jìn)一步下滑。” 邰煒說。

“我們現(xiàn)在需要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)越來越多，主要原因是我們可以把存儲(chǔ)做的很便宜，如果存儲(chǔ)很貴的話，可能我們也不需要存那么多東西了。” 楊士寧說。

在低成本成為一種走勢的情況下，速度也成為存儲(chǔ)器需要解決的另一項(xiàng)挑戰(zhàn)。“我們要存的數(shù)據(jù)越來越多，要求分析的速度也越來越快，我們發(fā)現(xiàn)閃存架構(gòu)還是存在著一些缺陷。” 楊士寧表示，受到電路功率的影響，存儲(chǔ)器周邊速度越來越難以提升。據(jù)記者了解，傳統(tǒng)的3D  NAND周邊電路受到熱力影響和硬力影響，三極管的提升速度受限制，但是如果要解決這個(gè)問題，周邊電路密度會(huì)越來越大，真正存儲(chǔ)的增長空間就會(huì)有限。楊士寧表示，雖然現(xiàn)在存儲(chǔ)的堆疊層次越來越高，但是周邊面積不斷增長，真正存儲(chǔ)密度增長會(huì)減少。

除此之外，周邊產(chǎn)品占據(jù)很大面積，需要一些技術(shù)手段提升存儲(chǔ)密度，而且，存儲(chǔ)的工藝流程越來越越長，產(chǎn)品進(jìn)入市場進(jìn)行售賣的時(shí)間會(huì)更長。“那對整個(gè)市場競爭力就會(huì)有負(fù)面影響。” 楊士寧說