三星電子于29日宣布，已經開始大規模量產以第2代10納米FinFET制程技術（10LPP）為基礎的單芯片系統（SoC）產品，其搭配該單芯片系統的電子產品，也預計將在2018年首季問市。
        三星表示，針對低功耗產品所研發的第2代10納米（nm）FinFET制程技術（10LPP），相較于第1代10納米（nm）FinFET制程技術（10LPE），10LPP的制程可使性能提高10%，功耗降低15%。

       而且，由于該制程是延續于已經量產中的10LPE制程，所以將可以大幅縮短從開發到大量生產的準備時間，并提供更高的初期生產良率，因此更具有市場競爭優勢。
        三星進一步表示，采用10LPP制程技術制造的單芯片系統產品，預計將于2018年首季推出相關的電子產品。

       三星電子代工市場行銷副總裁Ryan Lee表示，透過從10LPE制程向10LPP制程的邁進，三星將能夠更好地為客戶提供服務，同時提高性能，提高初期產量。
       另外，三星還同時宣布，位于韓國華城的最新S3生產線，目前正準備加速生產10納米及其以下制程技術。

         S3是三星晶圓代工業務的第3座晶圓廠，其它2座分別是位于韓國京畿道的器興的S1，以及位于美國奧斯汀的S2。

根據規劃，三星的7納米FinFET制程技術與EUV（Extreme Ultra Violet）技術也預計將在S3晶圓廠中于2018年開始大量生產。