三星電子于29日宣布，已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)以第2代10納米FinFET制程技術(shù)（10LPP）為基礎的單芯片系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品，其搭配該單芯片系統(tǒng)的電子產(chǎn)品，也預計將在2018年首季問市。
        三星表示，針對低功耗產(chǎn)品所研發(fā)的第2代10納米（nm）FinFET制程技術(shù)（10LPP），相較于第1代10納米（nm）FinFET制程技術(shù)（10LPE），10LPP的制程可使性能提高10%，功耗降低15%。

       而且，由于該制程是延續(xù)于已經(jīng)量產(chǎn)中的10LPE制程，所以將可以大幅縮短從開發(fā)到大量生產(chǎn)的準備時間，并提供更高的初期生產(chǎn)良率，因此更具有市場競爭優(yōu)勢。
        三星進一步表示，采用10LPP制程技術(shù)制造的單芯片系統(tǒng)產(chǎn)品，預計將于2018年首季推出相關的電子產(chǎn)品。

       三星電子代工市場行銷副總裁Ryan Lee表示，透過從10LPE制程向10LPP制程的邁進，三星將能夠更好地為客戶提供服務，同時提高性能，提高初期產(chǎn)量。
       另外，三星還同時宣布，位于韓國華城的最新S3生產(chǎn)線，目前正準備加速生產(chǎn)10納米及其以下制程技術(shù)。

         S3是三星晶圓代工業(yè)務的第3座晶圓廠，其它2座分別是位于韓國京畿道的器興的S1，以及位于美國奧斯汀的S2。

根據(jù)規(guī)劃，三星的7納米FinFET制程技術(shù)與EUV（Extreme Ultra Violet）技術(shù)也預計將在S3晶圓廠中于2018年開始大量生產(chǎn)。