現(xiàn)在閃存是存儲(chǔ)界最重要的話題，以至于純粹的存儲(chǔ)峰會(huì)已經(jīng)沒有多少新的技術(shù)亮點(diǎn)了，參加的人也越來越不積極。一年一度的全球閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit，F(xiàn)MS）反而成了基本涵蓋所有存儲(chǔ)議題的全球存儲(chǔ)峰會(huì)。

閃存對于存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的變革作用，和AI對計(jì)算產(chǎn)業(yè)的變革效應(yīng)差不多。

在2019年的FMS上，異軍突起的SSD主控新創(chuàng)公司英韌科技（Innogrit）創(chuàng)始人吳子寧介紹了下一代SSD主控技術(shù)。

存儲(chǔ)是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最大的分支，占了三分之一的份額。為什么存儲(chǔ)能持續(xù)保持高收入？因?yàn)榇鎯?chǔ)芯片是按照容量定價(jià)，而不是芯片個(gè)數(shù)定價(jià)，所以，存儲(chǔ)器廠商只需要想辦法把單顆芯片的容量不斷做大，甚至翻倍，確保存儲(chǔ)容量的增長速度快于存儲(chǔ)價(jià)格下降速度，就能獲得巨大收益。

而存儲(chǔ)容量持續(xù)增長的動(dòng)力，還是來自于人類對于數(shù)據(jù)的高速需求。目前存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的根本矛盾，還是存儲(chǔ)容量和性能的增長速度無法滿足人民群眾對海量數(shù)據(jù)的高速增長的需求。

隨著5G和4K、8K時(shí)代的來臨，我們的手機(jī)、可穿戴、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算數(shù)據(jù)量呈爆發(fā)式增長，2025年數(shù)據(jù)量將達(dá)到175ZB，也就是需要1750億個(gè)1TB的硬盤才能裝得下，需要造更多的閃存芯片才夠用。

5G來臨，網(wǎng)速很快的時(shí)候，很多數(shù)據(jù)要放到數(shù)據(jù)中心，用手機(jī)訪問云端數(shù)據(jù)速度還是很快，照片和視頻都可以在線觀看。這對數(shù)據(jù)中心SSD提出了更高的性能要求。頁面加載慢0.5秒導(dǎo)致銷售下降10%，0.4秒延遲造成0.44%搜索量下降。

所以還是要想辦法縮短延遲。分析一下數(shù)據(jù)中心延遲的來源，SSD、網(wǎng)絡(luò)、軟件是三部分，SSD最關(guān)鍵，通過NVMeOF拉近客戶端和存儲(chǔ)服務(wù)器的距離，可以縮短軟件和網(wǎng)絡(luò)的延遲。通過低延遲SSD降低SSD內(nèi)部的延遲。

降低SSD延遲對SSD主控提出了新的要求，不只是支持新介質(zhì)那么簡單，在數(shù)據(jù)通路和接口方面也要做出新的設(shè)計(jì)，為新存儲(chǔ)介質(zhì)優(yōu)化數(shù)據(jù)通道。通過采用XL-Flash等縮短介質(zhì)延遲，控制器采用新的ECC糾錯(cuò)算法縮短時(shí)間，PCIe Gen 4也縮短了數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間。最終把延遲縮短接近10倍！

降低SSD延遲對SSD主控提出了新的要求，不只是支持新介質(zhì)那么簡單，在數(shù)據(jù)通路和接口方面也要做出新的設(shè)計(jì)，為新存儲(chǔ)介質(zhì)優(yōu)化數(shù)據(jù)通道。通過采用XL-Flash等縮短介質(zhì)延遲，控制器采用新的ECC糾錯(cuò)算法縮短時(shí)間，PCIe Gen 4也縮短了數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間。最終把延遲縮短接近10倍！

采用英韌科技最新的PCIe 4.0主控Tacoma后，即使IO Depth到8，延遲也只有不到20us。

延遲縮短的同時(shí)，相比TLC，新型XL-Flash SSD的IOPS增長更快。

考慮到性能和成本，數(shù)據(jù)中心的更好選擇是低延遲介質(zhì)+TLC NAND混合使用，二八定律。高頻訪問的熱數(shù)據(jù)放在SCM，普通數(shù)據(jù)放在TLC或QLC。

但是冷熱數(shù)據(jù)分離又增加了用戶的工作量，要想讓事情更簡單，就需要SSD主控更加智能，自己通過人工智能（NN：Neural Network，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)）算法區(qū)分冷熱數(shù)據(jù)。

所以，新一代SSD主控要更快：支持PCIe 4.0并為SCM低延遲介質(zhì)做專用通道；更智能：通過人工智能對數(shù)據(jù)進(jìn)行分析和加速。