SK海力士將投資9500億韓元擴(kuò)大無錫DRAM芯片產(chǎn)能
2016/12/24為搶占移動與數(shù)據(jù)存儲需求不斷成長的先機(jī),韓國大廠SK海力士周四宣布,將于韓國和中國投資3.16萬億韓元(約27億美
元),擴(kuò)大存儲器芯片產(chǎn)能。
僅次于三星電子的全球第二大存儲器芯片廠SK海力士表示,將投入2.2萬億韓元在韓國打造一座新的NAND快閃存儲器芯片
廠,并投資9500億韓元在現(xiàn)有的中國無錫廠擴(kuò)大DRAM芯片產(chǎn)能。
因智能手機(jī)制造商爭相提升產(chǎn)品的處理與存儲效能,近幾季來存儲器芯片價格已大幅反彈。移動設(shè)備、電腦和服務(wù)器所使用的
固態(tài)硬盤(SSD)等此類高端數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品市場快速成長,亦為SK海力士優(yōu)于市場預(yù)期的第三季獲利帶來助益。