6月18日，西安長安區(qū)變電站起火爆炸，三星位于西安的半導體工廠成為“最受傷”的公司。據(jù)韓國《朝鮮日報》報道，西安變電站爆炸引起的停電，讓位于西安的三星半導體工廠流水線意外停產(chǎn)，“據(jù)三星電子估算，由于生產(chǎn)受到影響，損失規(guī)模可能達到數(shù)百億韓元（超過億元人民幣）。”

西安三星半導體工廠一名工程師表示，西安三星半導體工廠每天的產(chǎn)值至少上億元人民幣（這一數(shù)字并未得到三星官方確認）。變電站爆炸后，三星半導體廠流水線停產(chǎn)了接近兩天。

值得一提的是，三星西安半導體工廠是目前三星電子唯一一個對3D NADA Flash進行量產(chǎn)的工廠。此次事故可能通過影響3D閃存芯片的產(chǎn)量，進而對下游固態(tài)硬盤市場產(chǎn)生影響。

國內(nèi)權(quán)威存儲市場資訊平臺中國閃存市場網(wǎng)表示，三星西安廠斷電將對三星固態(tài)硬盤生產(chǎn)造成影響，加劇閃存芯片供貨緊缺，預計2016下半年市場缺貨將更加嚴重。

大部分負荷恢復供電

6月18日凌晨，西安長安區(qū)變電站內(nèi)起火爆炸，導致西安多個區(qū)域停電。

6月21日，國家電網(wǎng)陜西省電力公司官網(wǎng)消息稱，目前絕大多數(shù)負荷已全部恢復正常供電。

韓國《朝鮮日報》6月20日在對此事的報道中稱，三星電子半導體工廠雖然不直接從該變電站獲得電力供應，但受到爆炸影響，電壓降低了一段時間。

三星電子一名工作人員對《朝鮮日報》稱，一部分半導體設(shè)備感應到電壓異常之后自動停止了運轉(zhuǎn)。西安工廠全部生產(chǎn)能力的10%左右受到影響。”該報道還稱，據(jù)三星電子估算，由于生產(chǎn)受到影響，損失規(guī)模可能達到數(shù)百億韓元。按照6月21日韓元兌人民幣匯率，三星方面的損失規(guī)模超過億元人民幣。

前述西安三星半導體工廠工程師表示，“三星電子方面正在檢查可能受到影響的用作半導體材料的薄圓片數(shù)千張晶片。”

該工程師還對記者透露，目前西安三星半導體工廠的損失規(guī)模還在計算，西安三星半導體工廠每天的產(chǎn)值至少上億元人民幣。

最新的公開報道稱，三星西安半導體工廠6月20日晚已恢復運作。

對于此次爆炸造成的損失，陜西樹理律師事務所律師王洋分析稱，該爆炸已經(jīng)屬于公共事件，考慮到國家電網(wǎng)陜西電力公司有別于普通企業(yè)的身份，有可能政府層面會統(tǒng)計損失，提出解決方案。

閃存芯片市場或受影響

三星西安半導體工廠從落地之初就備受矚目。這個“改革開放后中西部地區(qū)最大的外資項目”目前一期投資達70億美元，若三期順利完成，總投資達300億美元。

對于三星公司來說，西安半導體廠則是其唯一量產(chǎn)“3D閃存芯片半導體”的工廠。三星方面亦計劃將西安工廠培育成3D芯片的核心據(jù)點。閃存芯片是固態(tài)硬盤（固態(tài)硬盤）的核心元件。

中國閃存市場網(wǎng)稱，“三星西安廠斷電所造成的Wafer晶圓損失，將對三星固態(tài)硬盤生產(chǎn)造成影響，而且市場剛進入旺季備貨期，閃存芯片供貨已現(xiàn)緊缺的情況，預計2016下半年市場缺貨將更加嚴重。”

中國閃存市場網(wǎng)提供的信息顯示，三星西安廠生產(chǎn)的是32層3D NAND，目前月晶圓產(chǎn)量4萬~5萬片，并計劃于今年內(nèi)將其產(chǎn)量提高至6萬~7萬片，主要是用于固態(tài)硬盤生產(chǎn)所用。如今三星西安工廠Wafer晶圓受損，將直接影響固態(tài)硬盤生產(chǎn)和市場供應。

在外圍市場方面，中國閃存市場網(wǎng)稱：“2016年固態(tài)硬盤價格已累積下滑20%，刺激需求持續(xù)爆發(fā)性增長，快速吞噬硬盤的市場份額，第一季度固態(tài)硬盤全球出貨量同比大增30%。”

其中，閃存卡近一個月最高漲幅已高達20%以上，受三星西安廠3D NAND產(chǎn)能影響，將刺激固態(tài)硬盤價格上漲。