三星電子(Samsung Electronics)獨霸許久的3D NAND Flash市場，隨著美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)、英特爾(Intel)等競爭業(yè)者投入，2017年企業(yè)用固態(tài)硬盤(SSD)中3D NAND占比將上看70%。

據(jù)韓媒Money Today報導，SSD逐漸取代硬盤(HDD)，成為個人計算機(PC)與服務器的標準配備，3D NAND市場更是快速擴大。日前市調(diào)機構(gòu)IHS公布調(diào)查，指出2016年SSD產(chǎn)品中，企業(yè)用3D NAND推估數(shù)量達40%，并將以2017年68%、2018年77%及2019年88%的比例急速成長。

2015年市占率不過10%的3D NAND，預料在數(shù)年之間就會成為市場主流。反觀2015年市占率高達62%的多階儲存單元(MLC)，2017年預估市占率僅剩下5%，似乎正逐漸為SSD市場所淘汰。

消費者用產(chǎn)品市場的趨勢也差不多，2015年3D NAND 市占率只有3%，預期2016年將激增到18%、2017年36%、2018年60%，正快速占領市場。

3D NAND是將數(shù)據(jù)儲存單元垂直堆棧的尖端產(chǎn)品，提升速度、耐久性與生產(chǎn)效率的同時又能降低耗電量。三星在2013年8月率先全球量產(chǎn)，目前已經(jīng)發(fā)展到第三代48層堆棧產(chǎn)品，處于獨霸市場的狀態(tài)。不少競爭業(yè)者的3D NAND在2016年研發(fā)完成并投入量產(chǎn)，這也意味著NAND Flash市場即將以3D NAND為中心點燃戰(zhàn)火。

SK海力士將從第2季開始供應第二代36層架構(gòu)的1TB級SSD，第三代產(chǎn)品也預定在下半年完成;東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與美光等也陸續(xù)開始量產(chǎn)3D NAND，計劃在年底前將技術(shù)提升到第三代。

英特爾也首度進軍3D NAND市場，第一款3D NAND SSD產(chǎn)品與美光合作生產(chǎn)，預定自2016年下半起將在大陸大連廠自行生產(chǎn)。英特爾投資55億美元，正在將大連廠的系統(tǒng)半導體生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為NAND Flash內(nèi)存的生產(chǎn)設備。

至于三星自2013年起每年推出新一代的V-NAND產(chǎn)品，2015年從SSD市場笑納54億美元營收，成為壓倒性的第一名，38%的市占率比第二到五名的英特爾、新帝、美光與東芝加起來還高。三星也將在短期內(nèi)量產(chǎn)第四代V-NAND，以便與后進業(yè)者拉開差距。