近年來，DRAM、NAND Flash、Nor Flash已發(fā)展成為全球主流存儲器，但隨著這些傳統(tǒng)存儲器微縮制程已逼近極限，加上存儲技術發(fā)展進步以及終端需求的變化，新型存儲器亦越來越受到市場關注，有的新型存儲器正在迅速發(fā)展壯大，市場成長速度喜人。
今年5月，集邦咨詢旗下半導體研究中心（DRAMeXchange）報告指出，不論是DRAM或NAND Flash，現(xiàn)有的存儲器解決方案都面臨著制程持續(xù)微縮的物理極限，這意味著要持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難。DRAMeXchange認為，次世代存儲器（新型存儲器）與現(xiàn)有解決方案各有優(yōu)劣，最關鍵的機會點仍是在于價格。展望未來，需求陸續(xù)回溫與價格彈性所帶動的庫存回補動能，可望帶動2020年的現(xiàn)有存儲器價格止跌反彈，讓次世代存儲器解決方案有機會打入市場。
目前市場上有哪些常見的新型存儲器呢？下面將來盤點一下——
PRAM
PRAM（相變存儲器），也有人稱PCM（Phase Change Memory），據(jù)悉該存儲器技術是一種三明治結(jié)構，中間是相變層（和光盤材料一樣，GST），這種材料的一個特性是會在晶化（低阻態(tài)）和非晶化（高阻態(tài)）之間轉(zhuǎn)變，即利用這個高低阻態(tài)的變化來實現(xiàn)存儲。與傳統(tǒng)存儲技術相比，PRAM擁有讀寫速度快、耐用性強、非揮發(fā)性等，讀取速度和寫入次數(shù)均優(yōu)于領先于NAND Flash。
MRAM
MRAM（磁性存儲器）是一種非易失性存儲器。據(jù)悉，MRAM技術速度接近靜態(tài)隨機存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非易失性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，但平均能耗遠低于DRAM，且基本上可無限次地重復寫入。
MRAM曾獲得多家產(chǎn)業(yè)巨頭的青睞，摩托羅拉的半導體部門、IBM、英飛凌、賽普拉斯、瑞薩、三星電子、SK海力士、美光等均曾陸續(xù)投入研發(fā)MRAM的行列。目前，MRAM技術已在向第二代發(fā)展，主流研究在于TAS-MRAM和STT-MRAM，STT-MRAM被視為是可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM的高性能存儲器，Everspin、三星電子、IBM、Grandis等企業(yè)均已涉足。
FRAM
FRAM（鐵電存儲器）學術名為FeRAM，業(yè)界一般稱其為FRAM，是一種非易失性存儲器。采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。據(jù)了解，F(xiàn)RAM技術早于1921年被提出，1993年美國Ramtron公司成功開發(fā)出第一個4K位的鐵電存儲器FRAM產(chǎn)品，F(xiàn)RAM存儲器逐漸開始商業(yè)化，主要供應商包括Ramtrom、TI、富士通等。富士通曾為Ramtrom進行單體存儲器的量產(chǎn)晶圓代工，2020年雙方終止合作，富士通開始獨自開發(fā)FRAM并竭力推廣。
ReRAM
ReRAM（阻變存儲器）是一種非易失性存儲器，通過向金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓，產(chǎn)生大的電阻差值來存儲“0”和“1”。?其結(jié)構非常簡單，兩側(cè)電極將金屬氧化物包夾于中間，簡化了制造工藝，同時可實現(xiàn)低功耗和高速重寫等性能，比較適合可穿戴設備和小型醫(yī)療設備市場。
NRAM
NRAM（碳納米管存儲器）是基于碳納米管的非易失性存儲器，該技術由美國公司Nantero開發(fā)，并授權于富士通為NRAM的首個商業(yè)合作伙伴，富士通從Nantero購買了IP，取得了NRAM的設計、生產(chǎn)和銷售許可。據(jù)介紹，NRAM規(guī)格類似或接近于FRAM，存儲密度遠高于FRAM，讀寫速度接近于DRAM，比NAND Flash快100倍，擁有多于Flash 1000倍以上的讀寫次數(shù)，存儲信息能保持
https://detail.tmall.com/item.htm?spm=a230r.1.14.20.629f25813rFs05&id=45053862121&ns=1&abbucket=20
粵公網(wǎng)安備 44030902003735號