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國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模明年或超臺(tái)灣

2017/11/28
 臺(tái)積電與勁敵韓國(guó)三星拼戰(zhàn)仍未停止，在三星挾存儲(chǔ)器優(yōu)勢(shì)搶進(jìn)晶圓代工下，臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模在全球排名將被韓國(guó)超越；明年更會(huì)被國(guó)內(nèi)超越，顯示強(qiáng)敵環(huán)伺，讓臺(tái)積電也不敢松懈。

      國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）稍早發(fā)布調(diào)查報(bào)告，今年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模估達(dá)494億美元，年增19.7%，再創(chuàng)新高紀(jì)錄；明年持續(xù)成長(zhǎng)，估達(dá)532億美元，年增7.7%。

     從地域市場(chǎng)變化來看，韓國(guó)今年將首度成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，規(guī)模估達(dá)129.7億美元，將是臺(tái)灣五年來首度被韓國(guó)超越，由龍頭退居第二，明年則會(huì)被國(guó)內(nèi)超越，排名掉到第三，將面臨連二年都下滑的局面。

      韓國(guó)在半導(dǎo)體設(shè)備的采購(gòu)，主要?dú)w功二大存儲(chǔ)器廠三星半導(dǎo)體和SK海力士大舉擴(kuò)充DRAM和儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器，三星也宣布獨(dú)立晶圓代工部門，并擴(kuò)大投資規(guī)模，并揚(yáng)言在三內(nèi)年超越格羅方德和聯(lián)電，躍升晶圓代工第二。
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