三星電子已經(jīng)連續(xù)推出了兩代采用3D堆疊技術(shù)的V-NAND閃存，分別有24、32層，相關(guān)固態(tài)硬盤產(chǎn)品也在消費(fèi)級、企業(yè)級市場上頻頻露面，但一直都是MLC規(guī)格的，很多人都在等待三星的3D TLC，畢竟韓國巨頭是第一個把這種廉價閃存推向商業(yè)化的，始終都很賣力。

  今天，三星宣布，全球第一個3D堆疊的TLC V-NAND閃存已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，相應(yīng)的固態(tài)硬盤也會很快到來。

  不過，三星似乎不太喜歡TLC這個名稱，三星一直說是“3-bit multi-level-cell (MLC)”。

  新閃存基于第二代3D堆疊工藝、CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)，同樣垂直堆了多達(dá)32層，每顆芯片容量為128Gb(16GB)。

  具體制造工藝沒說，但看起來應(yīng)該是1xnm級別的。三星稱，相比于平面型的TLC，它可將晶圓的產(chǎn)能輸出翻一番還多，成本自然大大降低。

  知道大家都很關(guān)心壽命，全民SSD時代很快就來了，馬上就會取代3.5機(jī)械硬盤。